开关二极管，开关二极管与普通二极管有什么区别-中国黑防联盟

本文目录一览

1，开关二极管与普通二极管有什么区别
2，开关二极管和整流二极管区别
3，开关二极管怎么用怎么当开关用
4，开关二极管
5，开关二极管的用法
6，开关二极管普通二极管肖特基二极管快恢复二极管双向触
7，开关二极管的工作原理
8，开关二极管有什麽作用

1，开关二极管与普通二极管有什么区别

开关二极管比普通二极管搬移速度快。

开关二极管主要是速度快。

开关二极管与普通二极管有什么区别

2，开关二极管和整流二极管区别

一、性质不同1、开关二极管性质：半导体二极管的一种，是为在电路上进行"开"、"关"而特殊设计制造的一类二极管。2、整流二极管性质：一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。二、特性不同1、开关二极管特性：开关二极管从截止（高阻状态）到导通（低阻状态）的时间叫开通时间；从接通到切断的时间称为反向恢复时间；两次之和称为开关时间。一般来说，反向恢复时间大于开启时间，所以开关二极管的使用参数中只给出反向恢复时间。开关二极管的开关速度相当快。例如，硅开关二极管的反向恢复时间只有几纳秒，甚至锗开关二极管也只有几百纳秒。2、整流二极管特性：利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。整流二极管漏电流大，大部分整流二极管采用表面接触材料密封。整流二极管的形状如图1所示。此外，整流二极管的参数还包括最大整流电流，它是指整流二极管能够长时间通过的最大电流。它是整流二极管的主要参数，也是选择整流二极管的主要依据。扩展资料：整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路。在选择整流二极管时，应主要考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率、反向恢复时间等参数。开关二极管具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高等特点，广泛应用于电子设备的开关电路、检测电路、高频脉冲整流电路和自动控制电路中。开关二极管分为普通开关二极管、高速开关二极管、超高速开关二极管、低功耗开关二极管、高反压开关二极管、硅电压开关二极管等多种。参考资料来源：百度百科-开关二极管参考资料来源：百度百科-整流二极管

开关二极管和整流二极管区别

3，开关二极管怎么用怎么当开关用

在二级管两端施加正向电压，它就开通，施加反向电压它就关断。所以对于不断变换方向的电压，它就像个开关。

开关二极管怎么用怎么当开关用

4，开关二极管

开关二极管和普通的二极管都是pn结,所不同的是开关二极管的结电容小,反应速度快.普通二极管也可以用作开关电路, 二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。

主要是开关二极管在制造时要控制PN极的结电容要比普通二极管小很多，PN极之间厚度更薄，使得导通、截止的特性更好。

5，开关二极管的用法

开关二极管和普通的二极管都是PN结,所不同的是开关二极管的结电容小,反应速度快.普通二极管也可以用作开关电路, 二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。

其实二极管还有一个非常特殊的性能，就是它能够很好的作为温度检测器件，稳定、可靠又取材方便而且非常便宜。可能好多人不知道它还可以这样用。原理非常简单：就是二极管的PN结具有负温度特性，温度每升高一度C，它的正向压降就降低3mV左右。如果用5个1N4148二极管串接的话，那么就有15mV/度C的变化。对于用LM358以及LM324或者LM339的运放或者比较起来说，只要变化2mV就足够使输出翻转了。具体使用时只要用一个电阻和二极管串接，电阻起到限流的作用，让二极管的正向电流在0.5至3mA之间就可以了。从二极管两端取出正向电压给比较器输入端。早些年，我用这个东西来替换东芝电冰箱里面很容易损坏的那个感温电阻，至今没有一台出现温度失控问题，东芝维修部的人也看的晕乎乎，始终不明白之中奥妙。

开关二极管其实就是大电流高频管

就是起到开与关的作用，多用在振荡电路。

6，开关二极管普通二极管肖特基二极管快恢复二极管双向触

楼上面有很多都是没读过书的自摸生啊！开关二极管，是用用在信号的控制电路，在电磁炉中的保护电路输出端和信号端的静态隔离就是用开关二极管完成，简单又可靠。肖特基二极管，是稳压管的一个分支，但是还是是属于稳压二极管的范畴。快恢复二极管，是NP结的交越回复时间短而得名，常用在开关电源的输出整流端。双向触发二极管是一个4NP结构，3个NP结的 2端半导体元件，具有双向反击穿能力，是双向晶闸管的必备元件。

二极管，普通二极管，一般用在低频检波或者整流电路中。肖特基二极管, 快恢复二极管，用在高频或者超高频检波或者整流电路中。双向触发二极管, 用在双向可控硅触发电路中。开关二极管用在电压低，电流小，频率稍高的信号控制电路中，如：CPU外围电路。

开关二极管起开关作用如楼道内的声控灯开关普通二极管起稳压作用主要用于电路板快恢复二极管起超电压保护作用整流二极管起整流作用，如交流电变直流电双向触发二极管,也起开关作用发光二极管起发光作用，如指示灯

整流，钳位，稳压，反向保护。。。。多了，用的场合不一样功能不一样。

看你用在哪方面？

开关二极管用来控制电路的通断，可以用于钳位电路 , 普通二极管主要用来整流，将交流电变成脉动直流电 , 肖特基二极管, 快恢复二极管用于开关电路或者保护电路，功率较小双向触发二极管就是可控硅导通是需要触发信号，用于一些调控电路！

7，开关二极管的工作原理

开关二极管分为普通开关二极管、高速开关二极管、超高速开关二极管、低功耗开关二极管、高反压开关二极管、硅电压开关二极管等多种。高速开关二极管较普通开关二极管的反向恢复时间更短，开、关频率更快。常用的国产高速开关二极管有2CK系列。进口高速开关二极管有1N系列、1S系列、1SS系列（有引线塑封）和RLS系列（表面安装）。低功耗开关二极管的功耗较低，但其零偏压电容和反向恢复时间值均较高速开关二极管低。常用的低功耗开关二极管有RLS系列（表面封装）和1SS系列（有引线塑封）。高反压开关二极管的反向击穿电压均在220V以上，但其零偏压电容和反向恢复时间值相对较大。常用的高反压开关二极管有RLS系列（表面封装）和1SS系列（有引线塑封）。硅电压开关二极管是一种新型半导体器件e799bee5baa6e59b9ee7ad9431333361303031，有单向电压开关二极管和双向电压开关二极管之分，主要应用于触发器、过压保护电路、脉冲发生器及高压输出、延时、电子开关等电路。单向电压开关二极管也称转折二极管，邮PnPN四层结构的硅半导体材料组成，其正向为负阻开关特性（指当外加电压升高到正向转折电压值时，开关二极管由截止状态变为导通状态，即由高阻转为低阻），反向为稳定特性。双向电压二极管由NPnPN五层结构的硅半导体材料组成，其正向和反向均具有相同的负阻开关特性。

1n4148就是典型的小信号开关二极管这种二极管的管压降比较大，使得信号幅值大于管压降就能同过去

打个比方：一个小孩个矮，想出门却够不到门栓，无法将门打开，一个大人个高，可以够得到门栓，他把门打开后小孩就可以进出了。二极管就相当于上面的门，它有一定的开启电压(也叫导通电压、阈值电压，相当于门栓)，达不到这个开启电压的小信号无法通过它，控制二极管开启与否的开关信号就相当于上面的大人，它的电压比二极管的开启电压高，开关控制信号加到二极管上时，二极管就导通了，这时小信号就可以通过这个二极管。开关信号一般是一个直流电压信号，被控制的小信号一般是交流信号。

半导体二极管导通时相当于开关闭合（电路接通），截止时相当于开关打开（电路切断），所以二极管可作开关用，常用型号为1N4148。由于半导体二极管具有zhidao单向导电的特性，在正偏压下PN结导通，在导通状态下的电阻很小，约为几十至几百欧；在反向偏压下，则呈截止状态，其电阻很大，一般硅二极管在10ΜΩ以上，锗管也有几十千欧至几百千欧。利用这一特性，二极管将在电路中起到控制电流接通或关断的作用，成为一个理想的电子开关。以上的描述，其实适用于任何一支普通的二极管，或者说是二极管本身的原理。但针对于开关二极管，最重要的特点是高频条件下的表现。高频条件下，二极管的势垒电容表专现出来极低的阻抗，并且与二极管并联。当这个势垒电容本身容值达到一定程度时，就会严重影响二极管的开关性能。极端条件下会把二极管短路，高频电流不再通过二极管，而是直接绕路势垒电容通过，二极管就失效了。而开关二极管的势垒电容一般极小，这就相当于堵住了势垒电容这条路，达到了在高频条件下还可以保持好的单向导电性的效属果。

用可控硅相关信息就可以达到您说的这个要求。很来简单的晶体管电路即可。简介：开关二极管是半导体二极管的一种，是为在电路上进行"开"、"关"而特殊设计制造的一类二极管。它由导通自变为截止或由截止变为导通所需的时间比一知般二极管短。工作特性：开关二极管从截止（高阻状态）到导通（低阻状态）的时间叫开通时间；从导通到截止的时间叫反向恢复时间；两个时间之和称为开关时间。一般反向恢复时间大于开通时间，故在开关二极管的道使用参数上只给出反向恢复时间。

8，开关二极管有什麽作用

一楼的那位很详细但是却没有答到点子上在电路中的开关二极管主要起到一个高速开关的作用因其正向导通时间快反向恢复时间短

开关二极管里有一个PN结。当有正向电流时，电流流动，导通正电。负电到来时，二极管不导通。在电路中能起到开关和隔离作用。

起通，断电路的作用。可控制电源、电路的关断。

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不...晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。 CT---势垒电容 Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF（AV）---正向平均电流 IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH---恒定电流、维持电流。 Ii--- 发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流 IR（AV）---反向平均电流 IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 IRM---反向峰值电流 IRR---晶闸管反向重复平均电流 IDR---晶闸管断态平均重复电流 IRRM---反向重复峰值电流 IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） Irp---反向恢复电流 Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 Izk---稳压管膝点电流 IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 IZSM---稳压二极管浪涌电流 IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 iF---正向总瞬时电流 iR---反向总瞬时电流 ir---反向恢复电流 Iop---工作电流 Is---稳流二极管稳定电流 f---频率 n---电容变化指数；电容比 Q---优值（品质因素） δvz---稳压管电压漂移 di/dt---通态电流临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率 PB---承受脉冲烧毁功率 PFT（AV）---正向导通平均耗散功率 PFTM---正向峰值耗散功率 PFT---正向导通总瞬时耗散功率 Pd---耗散功率 PG---门极平均功率 PGM---门极峰值功率 PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 Pi---输入功率 PK---最大开关功率 PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率 PMP---最大漏过脉冲功率 PMS---最大承受脉冲功率 Po---输出功率 PR---反向浪涌功率 Ptot---总耗散功率 Pomax---最大输出功率 Psc---连续输出功率 PSM---不重复浪涌功率 PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率 RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻 RBB---双基极晶体管的基极间电阻 RE---射频电阻 RL---负载电阻 Rs(rs)----串联电阻 Rth----热阻 R(th)ja----结到环境的热阻 Rz(ru)---动态电阻 R(th)jc---结到壳的热阻 r δ---衰减电阻 r(th)---瞬态电阻 Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间 tf---下降时间 tfr---正向恢复时间 tg---电路换向关断时间 tgt---门极控制极开通时间 Tj---结温 Tjm---最高结温 ton---开通时间 toff---关断时间 tr---上升时间 trr---反向恢复时间 ts---存储时间 tstg---温度补偿二极管的贮成温度 a---温度系数 λp---发光峰值波长 △ λ---光谱半宽度 η---单结晶体管分压比或效率 VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降 VFM---最大正向压降（正向峰值电压） VF---正向压降（正向直流电压） △VF---正向压降差 VDRM---断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---门极不触发电压 VGFM---门极正向峰值电压 VGRM---门极反向峰值电压 VF（AV）---正向平均电压 Vo---交流输入电压 VOM---最大输出平均电压 Vop---工作电压 Vn---中心电压 Vp---峰点电压 VR---反向工作电压（反向直流电压） VRM---反向峰值电压（最高测试电压） V（BR）---击穿电压 Vth---阀电压（门限电压） VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压） VRWM---反向工作峰值电压 V v---谷点电压 Vz---稳定电压 △Vz---稳压范围电压增量 Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压 av---电压温度系数 Vk---膝点电压（稳流二极管） VL ---极限电压

一楼的那位很详细但是却没有答到点子上在电路中的开关二极管主要起到一个高速开关的作用因其正向导通时间快反向恢复时间短。